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        測試服務

      本測試實驗室提供專業的半導體特性評估,包括靜態特性、動態特性和熱特性。除提供建模測試數據和制作分立器件規格書外,我們還能完成一些特殊的測試項目,諸如TVS器件的S21、MOSFET器件的dv/dt和三極管的fT。鑒于各家客戶的需求難以統一,我們會在充分評估項目的難度和工時后給出正式報價。

      本測試實驗室可提供的服務項目參見表一、表二和表三。

      表一  二極管相關測試項目

      測試類別

      測試項目

       

      參數

      符號

      電性能參數

      靜態參數

      正向電壓

      VF

      1.        可提供高低溫(-40 200)測試結果

      2.        可提供測試曲線或波形

      3.        DC類:Imax=400A、Vmax=3000V

      4.        AC類:Imax=1000A、Vmax=1200V

      反向漏電

      IR

      反向擊穿電壓

      VBR

      正向平均電流

      IFAV

      動態參數

      結電容

      CJ

      反向恢復時間相關參數

      Trr/Ta/Tb/S

      反向恢復峰值電流

      Irm

      反向恢復電荷

      Qrr

      電壓變化率

      dv/dt

      熱性能參數

      耗散功率

      PD

       

      結到環境熱阻

      Rthj-a

       

      結到殼熱阻

      Rthj-c

      根據封裝不同,可能為j-l

      其他特殊參數

      插入損耗

      S21

       

      箝位電壓

      Vc

      8/20μs10/1000μs

      動態電阻

      RDYN

      TLP測試

      單脈沖雪崩能量

      EAS

       

       

      表二  三極管相關測試項目

      測試類別

      測試項目

       

      參數

      符號

      電性能參數

      靜態參數

      各類擊穿電壓

      V(BR)CEO/V(BR)CBO/V(BR)EBO

      1.        可提供高低溫(-40 200)測試結果

      2.        可提供測試曲線或波形

      3.        DC類:Imax=400A、Vmax=3000V

      4.        AC類:Imax=1000A、Vmax=1200V

      各類漏電

      ICEO/ICBO/IEBO

      靜態電流增益

      hFE

      基極-發射極導通電壓

      VBE(on)

      各種飽和壓降

      VBEsat/VCE(sat)

      動態參數

      各類電容

      Cobo/Cibo/Cre

      延遲時間

      Td

      上升時間

      Tr

      存儲時間

      Ts

      下降時間

      Tf

      熱性能參數

      耗散功率

      PD

       

      結到環境熱阻

      Rthj-a

       

      結到殼熱阻

      Rthj-c

       

      其他特殊參數

      增益帶寬積(特征頻率)

      fT

       

      插入功率增益

      S21e2

       

      噪聲系數

      NF

      高頻

       

      表三  MOSFET/IGBT相關測試項目

      測試類別

      測試項目

       

      參數

      符號

      電性能參數

      靜態參數

      各類擊穿電壓

      V(BR)DSS/V(BR)GSS

      1.        可提供高低溫(-40200℃)測試結果

      2.        可提供測試曲線或波形

      3.        DC類:Imax=400A、Vmax=3000V

      4.        AC類:Imax=1000A、Vmax=1200V

      5.        符號上IGBTVDMOS之間的替換關系:

      C(集電極)=D(漏極);E(發射極)=S(源極)

      各類漏電

      IDSS/IGSS

      柵極閾值電壓

      VGSth

      導通電阻

      RDS(on)

      飽和壓降

      VCE(sat)

      二極管正向壓降

      VSD/VF

      動態參數

      正向跨導

      Gfs

      柵極電阻

      Rg

      輸入、輸出、反向轉移電容

      Ciss/Coss/Crss

      有效輸出電容

      Coer/Cotr

      開關時間

      Td(on)/Tr/Td(off)/Tf

      導通損耗

      Eon/Eoff

      反向恢復時間相關參數

      Trr/Ta/Tb/S/Irrm/Qrr

      柵極電荷

      Qg/Qgs/Qgd

      短路電流、漏極脈沖電流

      Isc/IDM

      熱性能參數

      耗散功率

      PD

      結到環境熱阻

      Rthj-a

      結到殼熱阻

      Rthj-c

      其他特殊參數

      單脈沖雪崩能量

      EAS

      說明:TOSMD有夾具,其他封裝需要制作配套夾具(費用另計)。

       

      聯系方式:

      聯系人:周女士

      TEL0571-86714088-6192

      Emailzhoujun@silanic.com.cn

       

       
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