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            測試服務

          本測試實驗室提供專業的半導體特性評估,包括靜態特性、動態特性和熱特性。除提供建模測試數據和制作分立器件規格書外,我們還能完成一些特殊的測試項目,諸如TVS器件的S21、MOSFET器件的dv/dt和三極管的fT。鑒于各家客戶的需求難以統一,我們會在充分評估項目的難度和工時后給出正式報價。

          本測試實驗室可提供的服務項目參見表一、表二和表三。

          表一  二極管相關測試項目

          測試類別

          測試項目

           

          參數

          符號

          電性能參數

          靜態參數

          正向電壓

          VF

          1.        可提供高低溫(-40 200)測試結果

          2.        可提供測試曲線或波形

          3.        DC類:Imax=400A、Vmax=3000V

          4.        AC類:Imax=1000A、Vmax=1200V

          反向漏電

          IR

          反向擊穿電壓

          VBR

          正向平均電流

          IFAV

          動態參數

          結電容

          CJ

          反向恢復時間相關參數

          Trr/Ta/Tb/S

          反向恢復峰值電流

          Irm

          反向恢復電荷

          Qrr

          電壓變化率

          dv/dt

          熱性能參數

          耗散功率

          PD

           

          結到環境熱阻

          Rthj-a

           

          結到殼熱阻

          Rthj-c

          根據封裝不同,可能為j-l

          其他特殊參數

          插入損耗

          S21

           

          箝位電壓

          Vc

          8/20μs10/1000μs

          動態電阻

          RDYN

          TLP測試

          單脈沖雪崩能量

          EAS

           

           

          表二  三極管相關測試項目

          測試類別

          測試項目

           

          參數

          符號

          電性能參數

          靜態參數

          各類擊穿電壓

          V(BR)CEO/V(BR)CBO/V(BR)EBO

          1.        可提供高低溫(-40 200)測試結果

          2.        可提供測試曲線或波形

          3.        DC類:Imax=400A、Vmax=3000V

          4.        AC類:Imax=1000A、Vmax=1200V

          各類漏電

          ICEO/ICBO/IEBO

          靜態電流增益

          hFE

          基極-發射極導通電壓

          VBE(on)

          各種飽和壓降

          VBEsat/VCE(sat)

          動態參數

          各類電容

          Cobo/Cibo/Cre

          延遲時間

          Td

          上升時間

          Tr

          存儲時間

          Ts

          下降時間

          Tf

          熱性能參數

          耗散功率

          PD

           

          結到環境熱阻

          Rthj-a

           

          結到殼熱阻

          Rthj-c

           

          其他特殊參數

          增益帶寬積(特征頻率)

          fT

           

          插入功率增益

          S21e2

           

          噪聲系數

          NF

          高頻

           

          表三  MOSFET/IGBT相關測試項目

          測試類別

          測試項目

           

          參數

          符號

          電性能參數

          靜態參數

          各類擊穿電壓

          V(BR)DSS/V(BR)GSS

          1.        可提供高低溫(-40200℃)測試結果

          2.        可提供測試曲線或波形

          3.        DC類:Imax=400A、Vmax=3000V

          4.        AC類:Imax=1000A、Vmax=1200V

          5.        符號上IGBTVDMOS之間的替換關系:

          C(集電極)=D(漏極);E(發射極)=S(源極)

          各類漏電

          IDSS/IGSS

          柵極閾值電壓

          VGSth

          導通電阻

          RDS(on)

          飽和壓降

          VCE(sat)

          二極管正向壓降

          VSD/VF

          動態參數

          正向跨導

          Gfs

          柵極電阻

          Rg

          輸入、輸出、反向轉移電容

          Ciss/Coss/Crss

          有效輸出電容

          Coer/Cotr

          開關時間

          Td(on)/Tr/Td(off)/Tf

          導通損耗

          Eon/Eoff

          反向恢復時間相關參數

          Trr/Ta/Tb/S/Irrm/Qrr

          柵極電荷

          Qg/Qgs/Qgd

          短路電流、漏極脈沖電流

          Isc/IDM

          熱性能參數

          耗散功率

          PD

          結到環境熱阻

          Rthj-a

          結到殼熱阻

          Rthj-c

          其他特殊參數

          單脈沖雪崩能量

          EAS

          說明:TOSMD有夾具,其他封裝需要制作配套夾具(費用另計)。

           

          聯系方式:

          聯系人:周女士

          TEL0571-86714088-6192

          Emailzhoujun@silanic.com.cn

           

           
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